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[单项选择]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 杂质浓度
D. 晶体缺陷
[单项选择]杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度
B. 掺杂工艺
C. 掺杂浓度
D. 晶格缺陷
[单项选择]杂质半导体中少数载流子浓度（）
A. 与掺杂浓度和温度无关
B. 只与掺杂浓度有关
C. 只与温度有关
D. 与掺杂浓度和温度有关
[单项选择]晴天大气导电率的时空分布取决于（）浓度的时空分布。
A. 大气轻离子
B. 大气重离子
C. 大气大离子
D. 大气气溶胶
[单项选择]N型杂质半导体中，多数载流子是（）
A. 正离子
B. 负离子
C. 空穴
D. 自由电子
[单项选择]本征半导体载流子（）
A. 自由电子和空穴的浓度无法确定
B. 自由电子的浓度小于空穴的浓度
C. 自由电子的浓度大于空穴的浓度
D. 自由电子和空穴的浓度相等
[单项选择]N型半导体多数载流子是（）
A. 空穴
B. 质子
C. 电子
D. 中子
[填空题]半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
[判断题]在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
[单项选择]关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）
A. 自由电子和空穴总是成对出现
B. 电子可以自由移动，空穴不能自由移动
C. 在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
D. 自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。
[单项选择]土壤溶液中，活性酸度的大小取决于（）的浓度。
A. K+
B. Na+
C. H+
D. Mg2+
[单项选择]对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
A. 与温度无关，与杂质浓度无关
B. 与温度有关，与杂质浓度有关
C. 与温度无关，与杂质浓度有关
D. 与温度有关，与杂质浓度无关
[填空题]N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。
[单项选择]在一定的温度下，甘汞电极的电极电位取决于（）的浓度。
A. 被测溶液中H+
B. 被测溶液中Cl-
C. 电极内参比液Cl-
D. 电极内参比液H+
[填空题]利息率的高低一般取决于两个因素，一是取决于（），二是取决于（）。
[单项选择]N型半导体的多数载流子是（）。
A. 电子
B. 电流
C. 空穴
D. 电荷
