集成电路技术
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[判断题]栅氧一般通过热生长获得。
[判断题]传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
[判断题]成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。
[判断题]半导体级硅的纯度为99.9999999%。
[判断题]暴露在高温的氧气氛围中,硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
[判断题]硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料,在随后的工艺中要清洗去除。
[填空题]集成电路的发展时代分为()、中规模集成电路MSI、()、超大规模集成电路VLSI、()。
[判断题]CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
[判断题]西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。
[判断题]虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词,但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结,取而代之的是离子注入。
[填空题]制作通孔的主要工艺步骤是:1、();2、();3、()。
[判断题]区熔法是20世纪50年代发展起来的,能生产到目前为止最纯的硅单晶,含氧量非常少。
[判断题]氧化物有两个生长阶段来描述,分别是线性阶段和抛物线阶段。
[判断题]冶金级硅的纯度为98%。
[填空题]集成电路的制造分为五个阶段,分别为()、()、硅片测试和拣选、()、终测。
[填空题]制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片,称为硅片或()。在硅片制造厂,由硅片生产的半导体产品,又被称为()或()。
[填空题]制作钨塞的主要工艺步骤是:1、();2、();3、();4、磨抛钨。
[判断题]85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
[判断题]二氧化硅是一种介质材料,不导电。
[判断题]当硅片暴露在空气中时,会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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