集成电路技术
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[判断题]LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
[判断题]CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。
[判断题]蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。
[判断题]关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
[判断题]接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。
[判断题]快速热处理是一种小型的快速加热系统,带有辐射热和冷却源,通常一次处理一片硅片。
[判断题]用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。
[判断题]在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。
[判断题]多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
[判断题]LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。
[判断题]传统互连金属线的材料是铝,即将取代它的金属材料是铜。
[判断题]阻挡层金属是淀积金属或金属塞,其作用是增加上下层材料的附着。
[判断题]高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
[判断题]大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。
[判断题]外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,即外延层。
[判断题]APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。
[判断题]接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
[判断题]大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
[判断题]外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层,分为同质外延和异质外延两大类。
[判断题]与APCVD相比,LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能,因此应用更为广泛。
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