集成电路技术
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[判断题]对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
[判断题]没有CMP,就不可能生产甚大规模集成电路芯片。
[判断题]表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。
[判断题]溅射是个化学过程,而非物理过程。
[判断题]最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
[判断题]反刻是一种传统的平坦化技术,它能够实现全局平坦化。
[判断题]CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。
[判断题]有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
[判断题]投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
[判断题]芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸,即CD。
[判断题]电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
[判断题]在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。
[判断题]步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
[判断题]光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。
[判断题]旋涂膜层是一种传统的平坦化技术,在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。
[判断题]曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
[判断题]化学机械平坦化,简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
[判断题]20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。
[判断题]光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
[判断题]平滑是一种平坦化类型,它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜,但高度没有显著变化。
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