集成电路技术
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[填空题]对芯片互连的金属和金属合金来说,它所必备一些要求是()、高黏附性、()、()、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
[填空题]如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的()、()或者在器件中产生不希望的()。
[填空题]终点检测是指()的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是()和()。
[填空题]CMP是一种表面()的技术,它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面,在硅片和抛光头之间有(),并同时施加()。
[填空题]芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区:扩散区、()、刻蚀区、()、()和抛光区。
[填空题]杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
[填空题]光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
[填空题]刻蚀是用()或()有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程,其基本目标是()。
[填空题]在半导体制造业中,最早的互连金属是(),在硅片制造业中最普通的互连金属是(),即将取代它的金属材料是()。
[填空题]写出三种半导体制造业的金属和合金()、()和()。
[填空题]扩散是物质的一个基本性质,描述了()的情况。其发生有两个必要条件()和()。
[填空题]硅片平坦化的四种类型分别是()、部分平坦化、()和()。
[填空题]在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。
[填空题]硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤()、()和()。
[填空题]在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是()、()和()。
[填空题]扩散是物质的一个基本性质,分为三种形态()扩散、()扩散和()扩散。
[填空题]热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。
[填空题]随着铜布线中大马士革工艺的引入,金属化工艺变成刻蚀()以形成一个凹槽,然后淀积()来覆盖其上的图形,再利用()把铜平坦化至ILD的高度。
[填空题]集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。
[填空题]刻蚀剖面指的是(),有两种基本的刻蚀剖面()刻蚀剖面和()刻蚀剖面。
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