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[判断题]离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
[填空题]制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
[填空题]CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
[判断题]不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
[单项选择]在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A. 耐热陶瓷器皿
B. 金属器皿
C. 石英舟
D. 玻璃器皿
[填空题]硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
[判断题]暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
[单项选择]智力水平包括四种能力，这四种能力是（）
A. 独立能力、判断能力、应变能力、敏感能力
B. 分析能力、判断能力、决策能力、沟通能力
C. 学习能力、工作能力、分析能力、应变能力
D. 活动能力、组织能力、领导能力、决策能力
[单项选择]设备试压的目的是检验设备的（），并检查个部分特别是接头处是否泄漏。
A. 耐腐蚀度
B. 强度
C. 硬度
D. 刚度
[单项选择]下列属于单晶硅片的一般形状（）.
A. 方形
B. 三角形
C. 椭圆形
D. 梯形
[填空题]按（）案卷主要适用于机械产品和设备科技文件（特别是图样部分）。
[单项选择]四元共渗中的四元是指四种元素，关于这四种元素，下列哪个选项说法是正确的？（）
A. Ni—Cr—Al—Y
B. Ni—Cr—Al—W
C. Ni—Cr—Al—Mg
D. Ni—Cr—Al—Cu
[填空题]铁矿石中的某些有害元素，特别是（）可以通过烧结大部分脱除。
